高效有机吸附质在饮用水深度处理中的应用研究

本文将自行合成的室温固化的聚丙烯酸酯(polyacrylate(s)，简写为PA)涂膜后用于饮用水深度处理，并利用固相微萃取与气相色谱联用技术（SPME-GC）评价其涂层对饮用水中的氯仿的萃取效率，发现萃取50min，萃取效率就可达到50％。说明室温条件下固化的聚丙烯酸酯对水中的有机物氯仿有较佳的萃取效果。     

CdSe膜电极在Na2SO3溶液中的电化学调制光谱

本采用本实验室研制的T-1 EMS电化学调制光谱仪研究了电沉积CdSe电极在1mol／L Na2SO3溶液中的电化学调制光谱(EMRS)特性．实验结果表明，CdSe电极在Na2SO3溶液中的EMRS具有典型的Franz—Keldysh振荡峰．根据Aspnes提出的弱电场三阶微商电解液电反射理论，对CdSe电极的EMRS进行了定量分析，计算出了CdSe电极的禁带宽度和展宽系数等相关参数．结合EMRS随直流偏置电位的变化，快速、准确地确定出CdSe电极在NaSO3溶液体系中的平带电位值．这些参数为研究CdSe电极的半导体性质和界面结构提供了重要信息．     

不同包衣剂对棉花种子萌发及幼苗生长的影响

用不同的棉花型包衣剂和玉米型包衣剂处理棉花种子,选择2种温度条件进对其进行培养,测定发芽率、幼苗长度和幼苗重量,研究不同包衣剂对棉花种子萌发及幼苗的影响.试验结果表明,经过包衣剂处理的棉花种子在发芽率和幼苗的生长状况上均优于未处理的种子,对棉花型包衣剂成分进行调整,能有效影响棉花早期的生长.     

N80油管钢的CO_2高温高压腐蚀电化学行为与机理研究

在高温高压釜中模拟油气井腐蚀环境 ,采用电化学交流阻抗和动电位扫描极化曲线测试技术 ,研究了N80钢在温度为 10 0℃ ,CO2 分压为 1.18MPa条件下的腐蚀电化学行为和阳极与阴极反应机理 ,实时监测了腐蚀产物膜对腐蚀行为和腐蚀反应机理的影响 .研究结果表明 :N80钢的阳极反应过程服从Bockris机理 ;N80钢的阴极反应以H2 CO3的还原为主 ;反应中间产物吸附与腐蚀产物膜覆盖的竞争导致交流阻抗谱随腐蚀时间而变化 ,影响着钢的腐蚀行为 ,产物膜对钢基体具有一定的保护作用     

离子注入掺碘聚醚砜薄膜的红外光谱分析

测定了未注入掺碘聚醚砜(PES)膜和离子注入掺碘PES膜的红外光谱．发现两红外光谱不同．离子注入使掺碘PES膜的C—S键和C—O键断裂，但对掺碘PES膜的苯环没有破坏作用．Ar(苯环)—O—Ar吸收峰经离子注入后向低波数位移是由于离子注入导致键断裂．挥发性物质放出和富碳层的出现，并伴随着膜的致密化，使分子间的作用力显增大．膜结构的变化引起了膜的电学和光学性质的变化。     

喷射反应器研究与进展

介绍了喷射反应器的基本概念,全面回顾分析并总结了喷射反应器研究的历史与现状。指出了存在的问题并对今后将要进行的工作进行了展望。     

大型板带轧机油膜轴承锥套载荷特性实验研究

通过对轧机油膜轴承锥套载荷分布的模拟实验研究, 给出了轧机油膜轴承锥套载荷测试的新方法.为精轧机提高轴承寿命的研究工作提供了可靠的实验手段与试验数据, 实验结果对大型轧机油膜轴承锥套损伤机理研究具有重要参考价值.     

固载葡萄糖氧化酶的壳聚糖/二氧化硅杂化膜的制备及表征

利用生物相容性良好的天然高分子聚合物壳聚糖(CS)与甲基三甲氧基硅烷(MTOS)通过原位溶胶-凝胶法制备壳聚糖/二氧化硅有机无机杂化复合膜,用此膜对葡萄糖氧化酶进行固定,用红外光谱法、扫描电镜法对膜进行了表征.以电沉积普鲁士蓝的玻碳电极和固定化酶膜构建葡萄糖生物传感器,用循环伏安法和记时电流法对固定化酶的效果进行了评价,结果表明,用于研制固定化酶生物传感器时,杂化膜比单纯的壳聚糖膜对底物的响应时间快并能很好地保持酶的活性.     

中频反应磁控溅射制备氧化铝薄膜的工艺探索

采用中频反应磁控溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,研究了反应气体(O2)含量和溅射功率与薄膜沉积速率的关系,并探讨了氧化铝薄膜制备过程中存在的"迟滞回线"问题.     

Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响

为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。